专利摘要:
基板から薄膜を分離するレーザーリフトオフ工程に使われるレーザー加工装置を提供する。レーザービームを放出するレーザービーム光源と、レーザービーム光源から放出されたレーザービームの形状及びエネルギー分布を加工する光学系と、光学系により加工されたレーザービームが照射され、照射されたレーザービームにより加工される加工対象物が配されるステージと、光学系により加工されたレーザービームが通過するようにレーザービームの進行経路上に配され、加工対象物の加工時に発生する副産物を吸入するための吸入ユニットと、を備えるレーザー加工装置。
公开号:JP2011512256A
申请号:JP2010546700
申请日:2009-02-17
公开日:2011-04-21
发明作者:オム,スン−ファン;キム,ヒョン−ジュン;チョウ,ウン−ギ;リー,クァン−ジェ
申请人:エーピー システムズ インコーポレイテッド;
IPC主号:B23K26-14
专利说明:

[0001] 本発明のレーザー加工装置に係り、より詳細には、基板から薄膜を分離するレーザーリフトオフ工程に使われるレーザー加工装置に関する。]
背景技術

[0002] 最近、エキシマーレーザービームの安定性及び出力が向上するにつれて、半導体物質を加工する工程にまでその使用範囲が広くなっている。特に、発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)のような素子を形成するために、レーザービームを利用してウェーハ基板上の薄膜を分離する工程が多く行われているが、これらの工程をレーザーリフトオフ(Laser Lift Off:LLO)工程という。図1には、LLO工程を行う従来のレーザー加工装置が図示されている。] 図1
[0003] 図1を参照するに、レーザー加工装置は、248?の波長を持つKrFエキシマーレーザー1と、複数のレンズで形成される光学系2とを備える。以下、前記レーザー加工装置9でLLO工程を行う過程について説明する。まず、KrFエキシマーレーザー1からレーザービームを放出すれば、このレーザービームは、光学系2を通過しつつ適切な形状及び強度で加工され、以後、サファイアウィンドウP1とGaN系列のエピ層P2とを備える加工対象物Pに照射される。この時、レーザービームのエネルギーがサファイアのバンドギャップ(約10.0eV)よりは低く、GaNのバンドギャップ(約3.3eV)よりは高いので、レーザービームはサファイアウィンドウP1に吸収されずにそのまま透過された後、GaN系列のエピ層P2に吸収される。そして、このように吸収されるレーザービームのエネルギーによりサファイアウィンドウと接するエピ層P2の界面が加熱及び分解されることによって、サファイアウィンドウP1とエピ層P2とが分離される。] 図1
[0004] 一方、前述したLLO工程中にエピ層の界面が分解されることによって、フューム及びパーチクルの形態で副産物0が発生し、この副産物0は、図1に示したように、レンズの表面や、サファイアウィンドウの上面に付着される。そして、このように副産物が付着されれば、エピ層P2に照射されるレーザービームの一部が進行途中に副産物0に吸収され、これにより、エピ層界面に到達するレーザービームのエネルギー分布が不均一になる。したがって、エピ層の界面のうち過度なエネルギーが吸収される部分ではストレスによる亀裂または欠陥が発生し、少量のエネルギーが吸収される部分では、サファイアウィンドウとエピ層とが分離されず、その結果、生産される製品の品質及び収率が低下するという問題点がある。] 図1
[0005] また、前記副産物0によりレーザー加工装置内の他の構成が汚染または損傷して、レーザー加工装置の耐久性が落ちるという問題点もあった。]
発明が解決しようとする課題

[0006] 本発明は、前記問題点を解決するために案出されたものであって、本発明の目的は、加工対象物の加工時に発生する副産物により生産される製品の品質及び収率が低下するか、周辺機構の汚染が防止されるように構造が改善されたレーザー加工装置を提供することである。]
課題を解決するための手段

[0007] 前記目的を達成するために、本発明によるレーザー加工装置は、レーザービームを放出するレーザービーム光源と、前記レーザービーム光源から放出されたレーザービームの形状及びエネルギー分布を加工する光学系と、前記光学系により加工されたレーザービームが照射され、前記照射されたレーザービームにより加工される加工対象物が配されるステージと、前記光学系により加工されたレーザービームが通過するように前記レーザービームの進行経路上に配され、前記加工対象物の加工時に発生する副産物を吸入するための吸入ユニットと、を備えることを特徴とする。]
[0008] 本発明によれば、前記吸入ユニットは、前記レーザービームが通過するように貫設される貫通孔と、前記副産物が流動して貫設される排出孔を持つハウジングと、前記貫通孔を閉塞するように前記ハウジングに結合されるビームスプリッタと、前記副産物が排出孔に吸入されるように前記副産物を吸入するファンと、を備え、前記ビームスプリッタで反射されたレーザービームを利用して前記レーザービームをモニタリングするモニタリングユニットをさらに持つことが望ましい。]
[0009] また本発明によれば、前記吸入ユニットは、前記レーザービームが通過するように貫設される貫通孔と、前記貫通孔と連通して前記副産物が流動する排出孔と、前記貫通孔と連通して前記排出孔に向けて外部から供給される不活性ガスを噴射するノズル部を持つハウジングと、前記副産物が排出孔に吸入されるように前記副産物を吸入するファンと、を備えることが望ましい。]
[0010] また本発明によれば、前記ハウジングには、前記貫通孔を閉塞するようにビームスプリッタが結合され、前記貫通孔と連通して前記ビームスプリッタに向けて不活性ガスを噴射する噴射部が設けられていることが望ましい。]
[0011] また本発明によれば、前記副産物の流動経路上に、前記排出孔と前記ファンとの間に配されて前記副産物を濾すフィルタをさらに備えることが望ましい。]
[0012] また本発明によれば、前記加工対象物と前記レーザービームとを整列させる整列ユニットと、前記加工対象物に対する前記レーザービームの焦点を整列するフォーカシングユニットと、をさらに備えることが望ましい。]
発明の効果

[0013] 本発明によれば、加工対象物の加工時に発生する吸入ユニットの内部に効率的に吸入できる。したがって、副産物による加工条件の劣化が防止され、その結果生産される製品の品質が優秀になり、レーザー加工装置の生産収率が向上する。]
[0014] また、副産物によるレーザー加工装置の汚染または損傷が防止されるので、レーザー加工装置の耐久性が向上する。]
図面の簡単な説明

[0015] 従来のレーザー加工装置の概念図である。
本発明の一実施形態によるレーザー加工装置の概念図である。
図2に図示された吸入ユニットの斜視図である。
図3のIV−IV線の断面図である。
図4のV−V線に沿って、図3に図示されたレーザー加工装置を切り取った断面図である。
整列ユニットの作動原理を説明するブロック図である。
フォーカシングユニットの作動原理を説明するブロック図である。] 図2 図3 図4
実施例

[0016] 以下、添付した図面を参照して本発明の一実施形態によるレーザー加工装置について説明する。]
[0017] 図2は、本発明の一実施形態によるレーザー加工装置の概念図であり、図3は、図2に図示された吸入ユニットの斜視図であり、図4は、図3のIV−IV線の断面図であり、図5は、図4のV−V線に沿って図3に図示されたレーザー加工装置を切り取った断面図である。] 図2 図3 図4 図5
[0018] 図2ないし図5を参照するに、本実施形態によるレーザー加工装置100は、レーザービーム光源10と、減衰器20と、光学系30と、ステージ40と、吸入ユニット50と、モニタリングユニット60と、映像撮影器70とを備える。] 図2 図5
[0019] レーザービーム光源10は、レーザービームを発生させる公知の構成であって、利用しようとするレーザービームの波長によってKrFエキシマーレーザーと、ArFエキシマーレーザーなど多様な種類のものが採用されうる。]
[0020] 減衰器20は、レーザービームの進行経路上に配され、レーザービームの強度を調節する。減衰器20は公知の構成であるため、詳細な説明は省略する。]
[0021] 光学系30は、レーザービーム光源から放出されたレーザービームの進行経路上に配され、レーザービームの形状及びエネルギー分布を加工する。本実施形態で光学系30は、レーザービームの形状を加工するビーム膨脹望遠鏡31と、加工されたレーザービームのエネルギー分布を均一にするビーム均一剤32と、レーザービームの焦点を調節するプロジェクションレンズ33とを備える。また、必要に応じてレーザービームを反射させてレーザービームの進行経路を変化させるミラー34と、ビーム均一剤32を通過したレーザービーム断面のエッジをマスキングするマスク35と、フィールドレンズ36とを備えてもよい。前述したように構成される光学系30は、大韓民国登録特許第10−0724540号明細書に開示された公知の構成であるため、個別的構成についての詳細な説明は省略する。]
[0022] ステージ40は、光学系30を通過したレーザービームの進行経路上に配される。ステージ40の上面にはレーザービームの照射時に加工される加工対象物Pが配される。ステージ40はステージ駆動部に連結される。ステージ駆動部はモーション制御部と電気的に連結され、モーション制御部から出力された移動信号を印加されて、ステージ40を水平及び垂直方向に移動させる。]
[0023] 吸入ユニット50は、加工対象物Pの加工時に発生する副産物0を吸入するためのものであって、レーザービームの進行経路上に配される。吸入ユニット50は、ハウジング51と、ビームスプリッタ52と、ファン53と、フィルタ54と、カートリッジ55とを備える。]
[0024] ハウジング51は、加工対象物Pの上側に配され、貫通孔511と、排出孔512と、ノズル部513と、噴射部514とを持つ。貫通孔511は、ハウジング51の中央部に上下方向に貫設される。貫通孔511の内部にはレーザービームが通過する。排出孔512は、貫通孔511の内側面とハウジング51とを貫通して形成される。排出孔512は、貫通孔511及びハウジング51に結合された排気ダクト515と連通する。ノズル部513は、貫通孔511及びハウジング51の側面に設けられた第1ガス供給管516と連通する。ノズル部513は、外部から第1ガス供給管516を通じて供給される不活性ガスを排出孔512に向けて噴射する。噴射された不活性ガスは排出孔512に流入され、この時、不活性ガスと共に副産物0が排出孔512に流入される。噴射部514は、貫通孔511及びハウジング51の側面に設けられた第2ガス供給管517と連通する。噴射部514は、外部から第2ガス供給管517を通じて供給される不活性ガスを、後述するビームスプリッタ52に向けて噴射する。噴射された不活性ガスは、ビームスプリッタ52及び貫通孔511に沿って下方に流動する。したがって、ビームスプリッタ52の下面は不活性ガス雰囲気にあり、副産物0は不活性ガスと共に下方に流動する。]
[0025] ビームスプリッタ52は板状に形成され、レーザービームの進行経路上にレーザービームの進行方向と45°傾いて配される。ビームスプリッタ52は、ハウジング51の上面に結合され、貫通孔511を防止する。ビームスプリッタ52は、入射されるレーザービームを透過及び反射させる。特に、本実施形態では、入射されるレーザービームの95%は透過させ、5%は反射させる。]
[0026] ファン53は排気ダクト515内に設けられる。ファン53は、貫通孔511及び排出孔512を通じて副産物0を吸入する。]
[0027] フィルタ54は、排気ダクト515の内部に設けられ、副産物0の排出経路上で排出孔512とファン53との間に配される。フィルタ54は、排気ダクト515を通じて排出されるガスをフィルタリングして、その中に含まれた副産物0を濾す。]
[0028] カートリッジ55は、収容部551を持ち、排気ダクト515に着脱自在に結合される。カートリッジ55はフィルタ54の下側に配され、カートリッジの収容部551にはフィルタ54を通過できない大サイズの副産物0が溜まる。そして、カートリッジの収容部551には、発光素子561と受光素子562とで形成されるレベルセンサー56が設けられている。発光素子561は光を発生させ、この光は、発光素子561と対向して配された受光素子562で受光される。カートリッジの収容部551に適正量以上の副産物0が溜まれば、この副産物により発光素子561で発生した光が遮断されて受光素子562で受信されず、この時、レベルセンサー56と電気的に連結されたアラーム部(図示せず)でカートリッジ55を空にせよという所定の信号が発生する。]
[0029] モニタリングユニット60は、ビームスプリッタ52で反射されたレーザービームを受光し、これを利用してレーザービームをモニタリングする。特に、本実施形態でモニタリングユニット60は、ビームプロファイラ61とエネルギーメータ62とを備える。ビームプロファイラ61は、ビームスプリッタ52で反射されたレーザービームの進行経路上に配され、反射されたレーザービームを受光する。ビームプロファイラ61は、反射されたレーザービームのエネルギー分布図(profile)を測定する。エネルギーメータ62は、ビームスプリッタ52で反射されたレーザービームの進行経路上に配され、反射されたレーザービームを受光する。エネルギーメータ62は、反射されたレーザービームの強度を測定する。そして、このように反射されたビームのエネルギー分布図及び強度を測定すれば、ビームスプリッタ52を透過したレーザービームのエネルギー分布図及び強度も分かる。]
[0030] 映像撮影器70は貫通孔511の上側に配され、加工対象物Pの加工過程を撮影する。そして、映像撮影器70にディスプレイ装置などを連結すれば、加工対象物の加工過程をリアルタイムで確認することができる。]
[0031] また、レーザー加工装置100は、整列ユニット80と、フォーカシングユニット90とをさらに備える。図6は、整列ユニットの作動原理を説明するブロック図であり、図7は、フォーカシングユニットの作動原理を説明するブロック図である。以下、図6及び図7を参照して説明する。] 図6 図7
[0032] 整列ユニット80は、加工対象物Pとレーザービームとを整列させるためのものであって、さらに具体的に説明すれば、加工しようとする加工地点をレーザービームの進行経路上に配するためのものである。本実施形態で整列ユニット80は、ビジョン81とビジョン制御部82とを備える。ビジョン81は、加工対象物Pの上側に配される。加工対象物Pがビジョン81の下方に移動すれば、ビジョン81は加工対象物P内のマークを認識し、これを利用して加工地点の水平方向上での位置を測定し、測定された位置をビジョン制御部82に伝送する。ビジョン制御部82は、ビジョン81から伝送された加工地点の位置とレーザービームの照射位置との差を算出し、これに対応する制御信号をモーション制御部42に出力する。そして、制御信号を印加されたモーション制御部42は、制御信号に対応する移動信号をステージ駆動部41に出力し、ステージ駆動部41は移動信号を受信し、これによりステージ40を水平方向に移動させる。]
[0033] フォーカシングユニット90は、レーザービームの焦点を加工対象物Pに整列させるためのものであって、さらに具体的に説明すれば、レーザービームの焦点を加工地点に合わせるためのものである。本実施形態でフォーカシングユニット90は、フォーカシング部91とフォーカシング制御部92とを備える。フォーカシング部81は加工対象物Pの上側に配される。加工対象物Pがフォーカシング部81の下方に移動すれば、フォーカシング部81は加工対象物Pの曲げ程度を感知し、これを利用して加工地点の垂直方向上での位置を測定し、測定された位置をフォーカシング制御部82に伝送する。フォーカシング制御部82は、フォーカシング部81から伝送された加工地点の位置とレーザービームの焦点との差を算出し、これに対応する制御信号をモーション制御部42に出力する。そして、制御信号を印加されたモーション制御部42は、制御信号に対応する移動信号をステージ駆動部41に出力し、ステージ駆動部41は移動信号を受信し、これによりステージ40を垂直方向に移動させる。]
[0034] 以下、前述したように構成されたレーザー加工装置100を使用して、LLO工程を行う過程について説明する。]
[0035] 図4に示したように、光学系30を通過したレーザービームは下方に進めてビームスプリッタ52に到達する。ビームスプリッタ52に到達したレーザービームのうち、5%は反射されて水平方向に進み、95%はビームスプリッタ52を透過して加工対象物Pに照射される。従来技術で説明したように、加工対象物Pに照射されたレーザービームは、サファイアウィンドウP1を透過した後でGaN系列のエピ層P2に吸収され、これにより、エピ層P2の界面が加熱及び分解されることによってサファイアウィンドウP1とエピ層P2とが分離される。そして、エピ層P2が分解されることによって、副産物0がフューム及びパーチクル形態に発生する。] 図4
[0036] 発生した副産物0は、ファン53により発生する吸入力及びノズル部513と噴射部514とから噴射される不活性ガスにより、図4に示したように、貫通孔511及び排出孔512に沿って流動していてフィルタ54により濾される。さらに詳細に説明すれば、ファン53の吸入力により貫通孔511に沿って上方に流動する副産物0は、ノズル部513から排出口512側に噴射される不活性ガスと共にほぼ排出孔512に流入された後、排気ダクト515に沿って流動していてフィルタ54により濾される。そして、排出口512に流入されないまま噴射口511に沿って上方に流動する一部の副産物0は、噴射部514から噴射されてビームスプリッタ52及び透過区511に沿って下方に流動する不活性ガスにより再び下方に流動し、次いで、ファン53の吸入力により排出孔512に流入された後、フィルタ54により濾される。] 図4
[0037] 一方、モニタリングユニット60を利用すれば、レーザービームのエネルギー分布図及び強度を測定でき、整列ユニット80及びフォーカシングユニット90を利用すれば、正確な位置にレーザービームを照射することができる。]
[0038] 前述したように、本実施形態によるレーザー加工装置100には吸入ユニット50が備えられているので、加工時に発生する副産物0が加工対象物に付着されるか、または周辺装置に付着されることを防止できる。特に、吸入ユニット50が、吸入力を発生させるファン53だけでなるものではなく、排出口512側に副産物0が流動するように不活性ガスを噴射するノズル部513と、副産物0がビームスプリッタ52側に流動することが防止されるように不活性ガスを噴射する噴射部514とをさらに備えている。したがって、副産物0を排気ダクトの内部に効率的に吸入でき、同時に副産物0がビームスプリッタ52に付着されることも防止できる。したがって、エピ層P2に到達するレーザービームのエネルギーが不均一になることが防止され、その結果、良質の製品を生産でき、レーザー加工装置100の生産収率も向上する。また、副産物0によるレーザー加工装置の汚染及び損傷が防止されるので、レーザー加工装置の耐久性が向上する。]
[0039] また、ビームスプリッタ52が吸入装置50内に設けられている。したがって、レーザービームの分布図及び強度を測定するためにレーザービームを分割する別途の構成を追加的に設置せずとも、ビームスプリッタ52に反射されたレーザービームを利用すれば、LLO工程中にもレーザービームの分布図及び強度をリアルタイムで測定できる。したがって、レーザー加工装置の空間活用性が優秀になり、その構成が単純になる。]
[0040] 以上、本発明の望ましい実施形態について図示して説明したが、本発明は前述した特定の望ましい実施形態に限定されず、特許請求の範囲で請求する本発明の要旨を逸脱せずに当業者ならば多様な変形実施ができるということはいうまでもなく、それと同じ変更は特許請求の範囲に記載の範囲内にある。]
[0041] 本発明は、レーザー加工装置関連の技術分野に好適に用いられる。]
[0042] 100レーザー加工装置
10レーザービーム光源
20可変減衰器
30光学系
40ステージ
50吸入ユニット
51ハウジング
52ビームスプリッタ
53ファン
60モニタリングユニット
70映像撮影器
80整列ユニット
90 フォーカシングユニット]
权利要求:

請求項1
レーザービームを放出するレーザービーム光源と、前記レーザービーム光源から放出されたレーザービームの形状及びエネルギー分布を加工する光学系と、前記光学系により加工されたレーザービームが照射され、前記照射されたレーザービームにより加工される加工対象物が配されるステージと、前記光学系により加工されたレーザービームが通過するように、前記レーザービームの進行経路上に配され、前記加工対象物の加工時に発生する副産物を吸入するための吸入ユニットと、を備えることを特徴とするレーザー加工装置。
請求項2
前記吸入ユニットは、前記レーザービームが通過するように貫設される貫通孔と、前記副産物が流動して貫設される排出孔を持つハウジングと、前記貫通孔を閉塞するように前記ハウジングに結合されるビームスプリッタと、前記副産物が排出孔に吸入されるように前記副産物を吸入するファンと、を備え、前記ビームスプリッタで反射されたレーザービームを利用して前記レーザービームをモニタリングするモニタリングユニットをさらに持つことを特徴とする請求項1に記載のレーザー加工装置。
請求項3
前記吸入ユニットは、前記レーザービームが通過するように貫設される貫通孔と、前記貫通孔と連通して前記副産物が流動する排出孔と、前記貫通孔と連通して前記排出孔に向けて外部から供給される不活性ガスを噴射するノズル部を持つハウジングと、前記副産物が排出孔に吸入されるように前記副産物を吸入するファンと、を備えることを特徴とする請求項1に記載のレーザー加工装置。
請求項4
前記ハウジングには、前記貫通孔を閉塞するようにビームスプリッタが結合され、前記貫通孔と連通して前記ビームスプリッタに向けて不活性ガスを噴射する噴射部が設けられていることを特徴とする請求項3に記載のレーザー加工装置。
請求項5
前記副産物の流動経路上に、前記排出孔と前記ファンとの間に配されて前記副産物を濾すフィルタをさらに備えることを特徴とする請求項2または3に記載のレーザー加工装置。
請求項6
前記加工対象物と前記レーザービームとを整列させる整列ユニットと、前記加工対象物に対する前記レーザービームの焦点を整列するフォーカシングユニットと、をさらに備えることを特徴とする請求項1ないし4のうちいずれか1項に記載のレーザー加工装置。
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引用文献:
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